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12 / 具有标准操作负载(1.57N)与高操作负载(2.26N)两种...阻计） 100mΩ以上标准负载型高负载型 （环境温度Ta=25℃） 项目最大动作电流IFM mA 推荐动作电流IF mA 正向电压（标准值）VF V 最大反向电压VR V 使用环境温度°C 滤色帽罩盖按钮 LED 外壳橡胶基座固定触点可...
- 小型按钮开关（小型方体型）A3A B-297 LED www.fa.omron.co.jp/b16/
...阻性负载种类接点结构一般负载用 1a AC125V 6A AC250V 2A DC 30V 4A 1c AC125V 3A DC 30V 2A 显示方式显示项目红黄绿正向电压VF 标准值V 2.1 2.2 2.2 最大值V 2.8 正向电流IF 最大绝对值mA 15 最大绝对值mA...
- 221 微型光电传感器(反射型) EE-SY169A 小型反射型
...方式重量(g) 材质外壳镜头印刷线路板用端子0.7 ABS PMMA 项目记号特性值单位条件 MIN. TYP. MAX. 发光侧正向电压VF──1.5 V IF＝30mA 反向电流IR──10μA VR＝4V 最大发光波长 λP─940─nm IF＝20mA 受光侧光电...
- 1 微型光电传感器(透过型) EE-SX4320 欧姆龙超小型槽型·SMD型(槽宽：2mm)
...Tsol 255＊2℃ 连接方式重量(g) 材质外壳表面封装型0.1 PPS 项目符号特性值单位条件 MIN. TYP. MAX. 发光侧正向电压VF—1.2 1.4 V IF＝20mA 反向电流IR—0.01 10μA VR＝5V 峰值发光波长 λP—940—nm IF＝20mA 受...
- 93 微型光电传感器(透过型) EE-SX1046 横向安装凹槽端子型(槽宽：3mm)
...接方式重量(g) 材质外壳印刷线路板用端子0.3聚碳酸酯项目记号特性值单位条件 MIN. TYP. MAX. 发光侧正向电压VF─1.2 1.5 V IF＝30mA 反向电流IR─0.01 10μA VR＝4V 最大发光波长 λP─940─nm IF＝20mA 受光侧光...
- EE-SY110 234 特性数据(参考值) 图1.正向电流·集电极损耗的温度额定值图图2.光电流—...
...连接方式重量(g) 材质外壳印刷线路板用端子0.4 LCP 项目记号特性值单位条件 MIN. TYP. MAX. 发光侧正向电压VF─1.2 1.5 V IF＝30mA 反向电流IR─0.01 10µA VR＝4V 最大发光波长 λP─940─nm IF＝20mA 受光侧光...
- 35 微型光电传感器(透过型) EE-SX3340/EE-SX4340
...以内*2 连接方式重量(g) 材质外壳表面安装型0.2 PPS 项目记号特性值单位条件 MIN. TYP. MAX. 发光侧正向电压VF─1.2 1.5 V IF＝20mA 反向电流IR─0.01 10μA VR＝4V 峰值发光波长 λP─940─nm IF＝20mA 受光侧动...
- 1 EE-SX1025微型光电传感器（透过型） 槽型、端子型（槽宽：2.8mm）
...连接方式重量（g） 材质外壳印刷电路板用端子0.19 PBT 项目记号特性值单位条件 MIN. TYP. MAX. 发光侧正向电压VF—1.2 1.5 V IF＝30mA 反向电流IR—0.01 10μA VR＝4V 最大发光波长λP—940—nm IF＝20mA 受光侧...
- 1 EE-SY199微型光电传感器（反射型） 欧姆龙超小型反射型、SMD型
...连接方式重量（g） 材质外壳表面安装型0.008聚苯硫醚（PPS） 项目记号特性值单位条件 MIN. TYP. MAX. 发光侧正向电压VF—1.2 1.4 V IF＝20mA 反向电流IR——10μA VR＝6V 最大发光波长λP—950—nm— 受光侧光电流 ...
- G2RL PCB功率继电器 15.7mm纤薄型功率继电器， 适合用于微型设备
...件线圈施加电压() 浪涌吸收二极管继电器线圈脉冲输入 M- ·施加电压：额定电压 ·Duty：60%以上 ·频率：10kHz以上 ·二极管Vf：0.4 V以下订购前请务必阅读我司网站上的“注意事项”。 欧姆龙电子部品(中国)统辖...
- 用途符合EN61010强化绝缘标准 符合IEC/EN 60335-1。（-HA型号）
...圈施加电压(100%) 浪涌吸收二极管继电器线圈脉冲输入 MOS-FET ·施加电压：额定电压 ·Duty：50%以上 ·频率：10kHz以上 ·二极管Vf：0.4 V以下订购前请务必阅读我司网站上的“注意事项”。 欧姆龙电子部品(中国)...
- G5Q功率继电器 ■型号标准 从阻性负载到电感负载， 支持广泛用途的10A
...圈施加电压(100%) 浪涌吸收二极管继电器线圈脉冲输入 MOS-FET ·施加电压：额定电压 ·Duty：50%以上 ·频率：10kHz以上 ·二极管Vf：0.4 V以下 ●保持型继电器的基本动作 ·继电器根据设置线圈的输入脉冲以磁力...
- G 3 V M | 6 □ G □ / 61 VY □ 162
...同时满足多条件。 ■绝缘结构尺寸项目符号G3VM-61G2 G3VM-61G3 G3VM-61VY1 G3VM-61VY2 G3VM-61VY3 G3VM-63G单位条件输入侧 LED正向电压VF 最小1.0 1.1 1.0 V IF=10mA标准1.15 1.27 1.15 最大1.3 1.4 1.3 反...
- G 3 V M ı 31 Q R / 61 Q R 2 / 101
...入输出间的耐压时，分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。 项目符号G3VM-31QR G3VM-61QR2 G3VM-101QR1单位条件输入侧 LED正向电压VF 最小1.1 V IF=10mA标准1.21 最大1.4 反向电流IR最大10 mA VR=5V 端...
- 1 21 Q R @ / 41 Q R @@ / 61 Q R
...压。 项目符号 G3VM- 21QR G3VM- 21QR1 G3VM- 41QR4 G3VM- 41QR10 G3VM- 61QR G3VM- 61QR3 单位测量条件输入侧 LED正向电压VF 最小1.1 V IF=10mA标准1.24 1.21 1.24 最大1.4 反向电流IR最大10 mA VR=5V 端...
- G 3 V M | □ 1 B R □ / □ 1 E R □
...1 G3VM-61ER1 G3VM-61BR2 G3VM-61ER2 G3VM-101BR G3VM-101ER G3VM-101BR1 G3VM-101ER1 单位条件输入侧 LED正向电压VF 最小1.18 1.5 1.18 1.5 1.18 1.5 V IF=10mA标准1.33 1.64 1.33 1.64 1.33 1.64 最大1.4...
- 1 G 3 V M □ M T I 模块 G3VM-□MT MOS FET继电器模块
...*2.动作时间、复位时间(主线) *3.动作时间、复位时间(子线) 项目符号G3VM-21MT G3VM-61MT G3VM-101MT单位条件输入侧 LED正向电压(主控制) VF Main 最小2.2 V IF Main=10mA标准2.54 2.42 最大2.8 LED正向电...
- 1 G3VM-63BR/63ER MOS FET继电器DIP6针大容量&低导通电阻型
...。 各项目为独立条件，并非同时满足的复合条件。 绝缘结构尺寸项目符号 G3VM-63BR G3VM-63ER单位条件输入侧 LED正向电压VF 最小1.1 V IF＝10mA标准1.27 最大1.4 反向电流IR最大10μA VR＝6V 端子间电容CT标...
- 1 G3VM-61YR MOS FET继电器WSON4针低端子间电容＆低导通电阻型(低C×R)
...温度Ta−40～+110℃ 无结冰、无凝露保存温度Tstg−40～+125℃ 焊接温度条件−260℃10s 项目符号G3VM-61YR单位测量条件输入侧 LED正向电压VF 最小1.1 VI F=10mA标准1.24 最大1.4 反向电流IR最大10μAV R=5V 端子间...
- 1 S8VK-WA S8VK-WB Common Accessories Common Precau...
... •Increase the output voltage setting of the Power Supplies by the drop in the forward voltage (VF) of diodes D1 and D2. Also, the diodes will cause a power loss equivalent to the Power Suppl...
https://www.fa.omron.com.cn/data_pdf/cat/s8vk-w_t219-e1_5_1_csm1066917.pdf
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